服務熱線
13910820560
產(chǎn)品特點:
3nm@30kV(SE),8nm@3kV(SE),4nm@30kV(BSE)
翻開式預對中燈絲,方便更換
不少于8個可擴展接口,可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多種探測器
技術指標:
分辨率 |
3nm@30kV(SE),8nm@3kV(SE),4nm@30kV(BSE) |
放大倍數(shù) |
5倍-300000倍,可調 |
電子槍 |
預對中鎢陰極燈絲 |
加速電壓 |
0~30kV,連續(xù)可調 |
自動調整功能 |
自動對中、聚焦、亮度、對比度、消像散 |
探測器 |
二次電子探測器、背散射電子探測器、紅外CCD,束流測量裝置 |
真空系統(tǒng) |
抽真空系統(tǒng):渦輪分子泵 + 機械泵。 樣品室最高真空度優(yōu)于9X10-3Pa。 抽真空時間:≤4分鐘 |
樣品臺 |
五軸樣品臺: 行程:X=70mm,Y=50mm,Z=60mm,R=360°,T=-10°~+70° 較大樣品直徑: Ф210mm; 較大樣品高度:60mm; 驅動方式:馬達驅動; 樣品臺承重:2kg 其他功能:碰撞報警功能。 |
能譜儀 |
探測器:硅漂移探測器 有效晶體面積:30mm2 元素探測范圍:B(5) ~ Cf(98) 分辨率:Mn Kα≤129eV @100,000cps 較大輸入計數(shù)率 >1,000,000cps 定量分析計數(shù)率 >100,000cps 1個探測器,2個圖像通道 圖像分辨率:最大8K(可調節(jié)) X射線掃描分辨率:最大8K 應用定性及定量分析方法 具有圖譜采集功能 |
濺射儀 |
離子濺射儀工作原理:磁控濺射 可選靶材:金,鉑,金鈀合金,鉛,銀,銅,鉻,銻等 全自動操作,簡單易用,非常適用鎢燈絲、臺式掃描電鏡等 濺射電流自動調整——設定濺射電流后,系統(tǒng)自動調節(jié)真空度,從而達到設定的濺射電流,調整時間<5s,波動范圍<±5%; 無需按“實驗”鍵調整濺射電流、無需操作“進氣閥”。 真空室:φ128×100高硅硼玻璃 濺射時間自動記憶——同類樣品一次設定即可; 參數(shù)改變自動調整——濺射過程中可以隨時調整濺射電流和濺射時長,系統(tǒng)自動計算疊加,無需終止濺射過程; 工作完成自動放氣; 樣品臺高度調節(jié)1秒完成; 濺射過程可以利用曲線顯示,清晰直觀。 極限真空:小于1Pa 軟硬件互鎖,防誤操作,安全可靠 濺射電流高于50mA,停止濺射過程; 真空泵工作時,系統(tǒng)無法進行放氣操作; 鍍層均勻,導電性良好 |
選配探測器 |
BSE、EDS、EBSD、CL、EBIC等 |
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